必威体育Betway必威体育官网
当前位置:首页 > IT技术

Ryzen平台下内存超频与内存时序

时间:2019-08-06 09:45:25来源:IT技术作者:seo实验室小编阅读:61次「手机版」
 

内存超频

最近在AMD平台内存,顺便学习下内存知识,以下内容转自:

内存的工作原理及时序介绍

#超频甜点系列# ryzen内存超频、选购二三事

RYZEN 平台超频的一点研究

在此感谢原贴作者们普及知识以及传授经验!

内存超频软件推荐:

Thaiphoon Burner (内存查看器)

DRAM Calculator for Ryzen 1.3.1 (AMD平台内存超频计算器)

MemTest Pro(内存压力测试工具,一般跑200%无报错即视为稳定)

Ryzen Timing Checker

基本术语:

所谓时序,就是内存的时钟周期数值,脉冲信号经过上升再下降,到下一次上升之前叫做一个时钟周期,随着内存频率提升,这个周期会变短。例如CL9的意思就是CL这个操作的时间是9个时钟周期。

工作频率:是内存颗粒实际的工作频率,但是由于DDR内存可以在脉冲的上升和下降沿都传输数据,因此传输数据的等效频率是工作频率的两倍;所以 工作频率*2=等效频率

Cell:颗粒中的一个数据存储单元叫做一个Cell,由一个电容和一个N沟道MOSFET组成。

Bank:8bit的内存颗粒,一个颗粒叫做一个bank,4bit的颗粒,正反两个颗粒合起来叫做一个bank。一根内存是64bit,如果是单面就是8个8bit颗粒,如果是双面,那就是16个4bit的颗粒分别在两面,不算ECC颗粒。

Rank:内存PCB的一面所有颗粒叫做一个rank,目前在Unbuffered台式机内存上,通常一面是8个颗粒,所以单面内存就是1个rank,8个bank,双面内存就是2个rank,8个bank。Bank与rank的定义是SPD信息的一部分,在AIDA64中SPD一栏可以看到。

DIMM:指一条可传输64bit数据的内存PCB,也就是内存颗粒的载体,算上ECC芯片,一条DIMM PCB最多可以容纳18个芯片。

第一时序:CL-tRCD-tRP-tRAS-CR,就是我们常说的5个主要时序,前四个参数CL-tRCD-tRP-tRAS与内存包装上的代码从左至右一一对应。

CAS Latency(CL):CAS即Column Address Strobe,列地址信号,它定义了在读取命令发出后到数据读出到IO接口的间隔时间。由于CAS在几乎所有的内存读取操作中都会生效(除非是读取到同一行地址中连续的数据,4bit颗粒直接读取间隔3个地址,8bit颗粒直接读取间隔7个地址,这时候CAS不生效),因此它是对内存读取性能影响最强的。如下图,蓝色的Read表示读取命令,绿色的方块表示数据读出IO,中间间隔的时间就是CL。

image022.png

已知CL时钟周期值CAS,我们可以使用以下公式来计算实际延迟时间tCAS:

tCAS(ns)=(CAS*2000)/内存等效频率

DRAM RAS to CAS Delay(tRCD):RAS的含义与CAS类似,就是行(Row)地址信号。它定义的是在内存的一个rank(内存的一面)之中,行地址激活(Active)命令发出之后,内存对行地址的操作所需要的时间。每一个内存cell就是一个可存储数据的地址,每个地址都有对应的行号和列号,每一行包含1024个列地址,当某一行地址被激活后,多个CAS请求会被发送以进行读写操作。简单的说,已知行地址位置,在这一行中找到相应的列地址,就可以完成寻址,进行读写操作,从已知行地址到找到列地址过去的时间就是tRCD。当内存中某一行地址被激活时,我们称它为“open page”。在同一时刻,同一个rank可以打开8个行地址(8个bank,也就是8个颗粒各一个)。下图显示一个行地址激活命令发出,到寻找列地址并发出读取指令,中间间隔的时间就是tRCD。tRCD值由于是最关键的寻址时间,它对内存最大频率影响最大,一般想要上高频,在加电压和放宽CL值不奏效的时候,我们都要放宽这个延迟。

image024.png

DRAM RAS Precharge Time(tRP):RAS预充电时间。它定义的是前一个行地址操作完成并在行地址关闭(page close)命令发出之后,准备对同一个bank中下一个行地址进行操作,tRP就是下一个行地址激活信号发出前对其进行的预充电时间。由于在行地址关闭命令发出之前,一个rank中的多个行地址可能正在被读写,tRP对内存性能影响不如CL和tRCD。虽然tRP的影响会随着多个行地址激活与关闭信号频繁操作一个bank而加大,但是它的影响会被bank interleaving(bank交叉操作)和command scheduling(命令调配)所削弱。交叉读写会交替使用不同的bank进行读写,减少对一个bank的操作频率;命令调配则是由cpu线程访问不同的内存地址,同样是减少对一个bank的频繁操作次数。例如SNB CPU的内存控制器可以对读写操作命令进行有效地重新分配,以使得行地址激活命中率最大化(如果重复激活一个已经处于激活状态的行地址,那就是RAS激活命令未命中),所以tRP在SNB平台对性能的影响不大,并且放宽它有可能可以帮助提升稳定性。下图显示的是一个即将被激活的行地址开始预充电,到它被激活间隔的时间,就是tRP。

image026.png

DRAM RAS Active Time(tRAS):行地址激活的时间。它其实就是从一个行地址预充电之后,从激活到寻址再到读取完成所经过的整个时间,也就是tRCD+tCL的意思。这个操作并不会频繁发生,只有在空闲的内存新建数据的时候才会使用它。太紧的tRAS值,有可能会导致数据丢失或不完整,太宽的值则会影响内存性能,尤其是在内存使用量增加的时候。所以一般为了稳定性,我们设置tRAS≥tRTP+tRCD+CL即可(tRTP不是tRP,将在第二时序中介绍),尤其是PCB不好或者跑高频的时候,多几个周期比较稳妥。

DRAM Command Mode(Command Rate,CR):首命令延迟,也就是我们平时说的1T/2T模式。是指从选定bank之后到可以发出行地址激活命令所经过的时间。CR可能对性能的影响有比较大的变数:如果CPU所需要的数据都在内存的一个行地址上,就不需要进行重复多次的bank选择,CR的影响就很小;但是如果一个rank中同时多个bank要激活行地址,或者不同的rank中不同bank需要同时激活的时候,CR对性能的影响就会提升。但是随着内存频率的提升,CR=1T/2T的时间差越短,它的影响就会越来越小,这就是我们看到DDR1的时候1T/2T对性能影响挺大,但是到了DDR3影响就很小的其中一个原因。但是为了性能最大化,我们尽量把CR设为1T,但是如果bank数很多的时候,例如插满四条内存,就有32个bank,bank选择随机性增大,1T的首命令时间可能会不稳定。

所以,内存的基本读取操作的时序角度流程就是把上面那三张图合起来:预充电-激活行地址并寻找列地址-发送读取命令-读出数据,这四步操作中间的三个延迟就分别是tRP、tRCD和CL。和我们常说的时序顺序刚好是反过来的。

第二时序

尤其注意tRRD和tRFC这两个时序,其它的则一般不影响。

DRAM CAS Write Latency(tWCL):列地址写入延迟,也就是DRAM的最小写入操作时间,与CL刚好是读写对应关系,一般跟CL值设为同一个值就是可以稳定的。由于内存读取之前必须先写入,所以这个值可以说与CL一样重要。但是在BiOS里一般没得设置,可能是与CL绑定了。

DRAM Row Cycle Time(tRC):行周期时间。定义了同一bank两次行激活命令所间隔的最小时间,或者说是一个bank中完成一次行操作周期(Row Cycle)的时间,即tRP+tRAS(预充电加上激活的整个过程),tRC设得太紧可能会直接点开不了机,一般只要能进系统再多加一两个周期都是可以稳定的。下图显示的就是tRC的时间。

image028.png

DRAM Row Refresh Cycle Time(tRFC):行地址刷新周期,定义了一个bank中行地址刷新所需要的时间。重提一下刷新的含义,由于cell中电容的电荷在MOSFET关闭之后一段时间就会失去,为了维持数据,每隔很短一段时间就需要重新充电。这里多提一句,Intel平台和AMD平台对tRFC的含义不一样,AMD平台的tRFC是DRAM刷新延迟时间,单位是ns,通常有90/110/160/300几个值可以调整,也就是说它的tRFC时钟周期会随着频率的提升而提升;而Intel平台的单位则直接是时钟周期,相反地延迟时间会随着频率的提升而降低。容量大的bank行地址和cell会更多,刷新时间也更长,因此tRFC也要更高。另外,tRFC如果太快会导致数据出错,太慢则影响性能,但可以增加稳定性。

DRAM Refresh Interval(tREFI):内存刷新时间间隔,也就是内存的刷新命令生效前要经过的时间。刷新的时间间隔一般取决于内存颗粒的容量(density),容量越大,就越需要频繁刷新,tREFI值就要越低。另外tREFI的时间也会受到内存工作温度与内存电压(Vdimm)影响,因为温度越高电容漏电越快。一般在AMD主板的BIOS里,这个值只有3.9us和7.8us可选,而在SNB平台,则是按时钟周期算,例如DDR3-1333下默认值为5199T,换算过来就是2000/1333x5199=7800ns,也就是7.8us。一般DRAM颗粒的spec中都是规定工作温度大于85度时采用3.9us。

DRAM RAS to RAS Delay(tRRD):行地址间延迟,定义的是同一rank不同bank间两个连续激活命令的最短延迟,在DDR3时代一般最小是4T。它的作用和CR有点像,不过比CR更多的时候对性能有较大的影响,所以这个时序可尽量缩小。

DRAM Write Recovery Time(tWR):内存写入恢复时间,它定义了内存从写入命令发出(从开始写入算起)到下一次预充电间隔的时间,也就是tRP的前一个操作。如果这个时间设得太短,可能会导致前一次写入未完成就开始下一次预充电,进行寻址,那么前一次写入的数据就会不完整,造成丢数据的情况。这个周期也是第二时序中比较长的,DDR3-2000一般需要10-14个周期,甚至更高。

DRAM Read to Precharge Time(tRTP):与tWR类似,定义了同一rank上内存从读取命令发出到tRP之前的间隔时间,但是它在读取完成并且行地址关闭之后才会生效。单颗128MB的内存颗粒可以在DDR3-2000下运行在4到6个时钟周期,如果bank容量增大时,这个时序有可能要放宽。

DRAM Four Active Window(tFAW):它定义了同一rank中允许同时发送大于四个行激活命令的间隔时间,因此最小值应该不小于tRRD的四倍。在DDR3上,tRRD的最小值是4T,因此tFAW的最小值就是16T。这个tFAW由于是在一个rank中大于四个bank同时激活之后才生效,因此在内存不是很繁忙的时候,它对性能的影响并不是很大。但是对一些频繁读写内存的操作(例如SuperPI 32M),tFAW对性能的影响可能会加大。由于现在内存用满的几率非常非常小,两根双面的内存更是有4个rank,配合上interleaving,一个rank中同时激活大于四个bank的几率应该不大,所以通常我们把它设为tRRD的四倍应该就不会出问题。

DRAM Write to Read Delay(tWTR):内存写-读延迟,它定义的是内存写入命令发出后到下一个读取命令之间的时间间隔,最小为4T,与tRTP类似,提升内存的频率或者容量提升时,这个值需要提高。

第三时序

第三时序中对性能影响最大的是tRDRD和tWRWR。当内存频率小于2133MHz时,第三时序对性能的影响非常小。当内存频率超过2400MHz之后,tRDRD和tWRWR对内存带宽的影响非常大,这两个参数的最小值为4个周期,每加1个周期,内存读写性能就会出现较大幅度的下降,每放大一个周期内存带宽大约下降10%~15%。内存频率达到2800MHz之后这两个小参往往要放大到6个周期,性能上会有较大的损失,因此牺牲tRDRD和tWRWR换取超高频的做法是不可取的。其余第三时许的各个小参对性能影响不大,一般全部设置为Auto即可。

第二类,其中三个是tRDWR、tRDWR_dr和tRDWR_dd,这三个时序对效能影响不大也不小,一般2400-2800这段频率都设置在10-12,2133以下可使用BIOS Auto。另外还有一个最大的tWRRD,一般在2400以下可设16,2666以上需要设到20,对性能影响不大。

第三类,除了上边提到的之外剩下其它的六个。这当中除了tRDRD_dr和tWRWR_dr之外,其它四个都可以设为1T,设为4T效能最好,不过影响其实都非常非常小。而tRDRD_dr一般设为5T不用动,tWRWR_dr大多数时候可设为4T,单条8G的跑高频(2666以上)可能要设为8T。

频率和时序 哪个对内存性能影响更大?

相关阅读

32位CPU支持多大内存 详细解析内存寻址能力和CPU位宽

今天给大家科普一个电脑知识,那就是内存寻址能力与CPU的位宽有关系吗?答案是没有关系。这个问题以讹传讹了很多人,传了很久,确实有必

金士顿内存条真假辨别图文教程

金士顿内存条真假辨别图文教程。内存在电脑硬件里算是最常见的,金士顿市场占有率高,数量多,因此出现了一些良莠不齐的内存条。大家快

9550显卡超频后玩游戏死机问题

问:我的显卡是双敏Power9508增强版每次玩CS1.6必死机,玩其他游戏没事。是不是显卡超频到398/526的关系?不超频就不会死机,但失去了955

virtualBox经常报错“内存不能为written”解决方法

在使用virtualBox的时候经常发生如下所示的错误,很难受,再次重启虚拟机还是会这样,找了很久,找到一个办法,算是管用的 1、运行Universa

堆、栈、方法区、直接内存、堆和栈区别

JVM的体系结构(1) Class Loader类加载器  负责加载 .class文件,class文件在文件开头有特定的文件标示,并且ClassLoader负责class

分享到:

栏目导航

推荐阅读

热门阅读